一、為鼓勵臺美雙方學者在半導體及微電子領域之學術合作,並培育晶片設計實作人才,本會與美方(NSF)20228 22日簽署合作備忘錄及執行協議,共同徵求旨揭計畫,申請方式詳如附件公告徵件說明及國科會網頁「計畫徵求專區」。

二、本申請案須由臺灣與美國雙方計畫主持人合作研議計畫內容後,分別向國科會及美國NSF於申請截止期限內提出申請始得成案。臺方計畫主持人應配合美方計畫主持人,於20221213日前,繳交申請案構想書(RCO),相關格式依美方規定辦理,並同時以電子郵件寄送本徵件說明「八、承辦聯繫資料」之臺方聯絡人,據與美方核對申請資料。本專案計畫須於美方計畫主持人所提構想書(Research Concept Outline, RCO) 獲美方(NSF)正面回應後,始得共同提出完整計畫書(Full Proposal)。完整計畫申請書校內受理截止日期為2023112日下午5時前。

三、為使更多半導體領域之學者專家參與本次共同徵件,國科會與美方NSF將於1115日及23日共同舉辦「臺美先進系統晶片設計(ACED Fab)學術研討會(線上會議)」,鏈結臺美半導體領域學者互動交流,歡迎有興趣學者線上參與。

四、本案聯絡人: ()相關計畫內容疑問,請洽國科會科國處李蕙瑩研究員,電話:(02)2737-7150 ()有關系統操作問題,請洽國科會資訊系統服務專線,電話:0800-212-058(02)2737-759075917592

附加檔案

英文申請書.odt

公告徵件說明.pdf

相關連結

 

https://beta.nsf.gov/funding/opportunities/advanced-chip-engineering-design-and-fabrication-aced-fab